स्क्यानिङ इलेक्ट्रोन माइक्रोस्कोप (SEM)
परियोजना | प्यारामिटर | ||
इलेक्ट्रोन अप्टिकल प्रणाली | इलेक्ट्रोन गन प्रकार | पूर्व-केन्द्रित टंगस्टन फिलामेन्ट इलेक्ट्रोन गन | |
रिजोल्युसन | उच्च भ्याकुम | ५nm@१०kV(दक्षिण पूर्व) | |
३ एनएम @ ३० केभी (दक्षिण पूर्व) | |||
८nm@३kV(दक्षिण पूर्व) | |||
म्याग्निफिकेसन | १–३००,०००× (आधारभूत म्याग्निफिकेसन) | ||
१–१६× (अप्टिकल म्याग्निफिकेसन) | |||
त्वरण भोल्टेज | ०.२ किलोभोल्ट ~ ३० किलोभोल्ट | ||
इमेजिङ प्रणाली | डिटेक्टर | माध्यमिक इलेक्ट्रोन डिटेक्टर (ETD) | |
| ब्याकस्क्याटर गरिएको इलेक्ट्रोन डिटेक्टर कम भ्याकुम माध्यमिक इलेक्ट्रोन डिटेक्टर ऊर्जा फैलाउने स्पेक्ट्रोस्कोपी (EDS), आदि। | |||
छवि भण्डारण ढाँचा | TIFF, JPG, BMP, PNG, ४८k*३२k सम्म | ||
कन्फिगरेसन | अप्टिकल नेभिगेसन प्रकार्य, तेर्सो सीसीडी क्यामेरा र ठाडो क्यामेराले सुसज्जित | ||
भ्याकुम प्रणाली | भ्याकुम मोड | उच्च भ्याकुम | ५×१०⁻⁴ पा भन्दा राम्रो |
कम भ्याकुम | ५ ~ १००० प्रति | ||
नियन्त्रण विधि | पूर्ण स्वचालित नियन्त्रण | ||
नमुना कक्ष | क्यामेरा | अप्टिकल नेभिगेसन | |
नमूना कक्ष अनुगमन | |||
नमुना स्टेज कन्फिगरेसन | पूर्ण रूपमा संलग्न आन्तरिक मोटराइज्ड डिजाइनको साथ ५-अक्ष पूर्ण स्वचालित नमूना चरण | ||
यात्रा दायरा | ज:१२० मिमी | ||
र:११५ मिमी | |||
संग:५० मिमी | |||
R (घुम्ने): ३६०° निरन्तर समायोज्य | |||
त:-१०°~+९०° | |||
नमूना चेम्बर क्षमता | चौडाइ: ३४० मिमी उचाइ: २७४ मिमी गहिराई: २९५ मिमी | ||
अधिकतम नमूना आकार | व्यास: २७० मिमी उचाइ: ५३ मिमी | ||