មីក្រូទស្សន៍អេឡិចត្រុងស្កេន (SEM)
គម្រោង | ប៉ារ៉ាម៉ែត្រ | ||
ប្រព័ន្ធអុបទិកអេឡិចត្រុង | ប្រភេទកាំភ្លើងអេឡិចត្រូនិច | កាំភ្លើងអេឡិចត្រុងដែលមានសរសៃទុងស្ទីនដែលមានកណ្តាលជាមុន | |
គុណភាពបង្ហាញ | បូមធូលីខ្ពស់ | 5nm@10kV (SE) | |
៣ណាណូម៉ែត្រ @ ៣០គីឡូវ៉ុល (អាគ្នេយ៍) | |||
៨nm@៣គីឡូវ៉ុល (អាគ្នេយ៍) | |||
ការពង្រីក | ១–៣០០,០០០× (ការពង្រីកមូលដ្ឋាន) | ||
១–១៦× (ការពង្រីកអុបទិក) | |||
វ៉ុលបង្កើនល្បឿន | ០.២គីឡូវ៉ុល ~ ៣០គីឡូវ៉ុល | ||
ប្រព័ន្ធថតរូបភាព | ឧបករណ៍ចាប់សញ្ញា | ឧបករណ៍ចាប់អេឡិចត្រុងបន្ទាប់បន្សំ (ETD) | |
| ឧបករណ៍ចាប់អេឡិចត្រុងដែលរាយប៉ាយត្រឡប់មកវិញ ឧបករណ៍ចាប់អេឡិចត្រុងបន្ទាប់បន្សំដែលមានកន្លែងទំនេរទាប វិសាលគមបំបែកថាមពល (EDS) ជាដើម។ | |||
ទម្រង់ផ្ទុករូបភាព | TIFF, JPG, BMP, PNG, រហូតដល់ 48k * 32k | ||
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធ | មុខងាររុករកអុបទិក បំពាក់ដោយកាមេរ៉ា CCD ផ្ដេក និងកាមេរ៉ាបញ្ឈរ | ||
ប្រព័ន្ធបូមធូលី | របៀបបូមធូលី | បូមធូលីខ្ពស់ | ល្អជាង 5×10⁻⁴ ប៉ា |
បូមធូលីទាប | ៥~១០០០ប៉ា | ||
វិធីសាស្ត្រត្រួតពិនិត្យ | ការគ្រប់គ្រងដោយស្វ័យប្រវត្តិពេញលេញ | ||
បន្ទប់គំរូ | កាមេរ៉ា | ការរុករកអុបទិក | |
ការត្រួតពិនិត្យបន្ទប់គំរូ | |||
ការកំណត់រចនាសម្ព័ន្ធដំណាក់កាលគំរូ | ដំណាក់កាលសំណាកស្វ័យប្រវត្តិពេញលេញ 5 អ័ក្ស ជាមួយនឹងការរចនាម៉ូទ័រខាងក្នុងដែលបិទជិតយ៉ាងពេញលេញ | ||
ចម្ងាយធ្វើដំណើរ | X：១២០ ម.ម. | ||
និង：១១៥ ម.ម. | |||
ជាមួយ：៥០ ម.ម. | |||
R (បង្វិល): 360° អាចលៃតម្រូវបានជាបន្តបន្ទាប់ | |||
ធ：-១០°~+៩០° | |||
សមត្ថភាពបន្ទប់គំរូ | ទទឹង៖ ៣៤០ ម.ម កម្ពស់៖ ២៧៤ ម.ម ជម្រៅ៖ ២៩៥ ម.ម | ||
ទំហំគំរូអតិបរមា | អង្កត់ផ្ចិត៖ ២៧០ ម.ម កម្ពស់៖ ៥៣ ម.ម | ||