სილიკონზე დაფუძნებული მასალები

პარამეტრი

D50

5.0±1.0 მკმ

სპეციფიკური ზედაპირის ფართობი

≤ 4.0მ2/გ

მყარი სიმკვრივე

≥ 0.8 გ/სმ3

ტევადობა

≤ 1600 mAh/გ

პირველი ეფექტურობა

≥ 76%“

პარამეტრი

D50

6.0±1.0 მკმ

სპეციფიკური ზედაპირის ფართობი

≤ 6.0მ2/გ

მყარი სიმკვრივე

≥ 0.8 გ/სმ3

ტევადობა

≤ 1400 mAh/გ

პირველი ეფექტურობა

≥ 82%“

პარამეტრი

D50

13.0±2.0 მკმ

სპეციფიკური ზედაპირის ფართობი

≤ 3.0მ2/გ

მყარი სიმკვრივე

≥ 0.9 გ/სმ3

ტევადობა

450 ± 5 mAh/გ

პირველი ეფექტურობა

≥ 89%“

პარამეტრი

D50

16.0±2.0 მკმ

სპეციფიკური ზედაპირის ფართობი

≤ 3.0მ2/გ

მყარი სიმკვრივე

≥ 0.8 გ/სმ3

ტევადობა

450 ± 5 mAh/გ

პირველი ეფექტურობა

≥ 93%“